功率(Power)

28纳米工艺通过全面引入High-k金属栅极(HKMG)技术以及嵌入式锗硅应力技术，显著降低了漏电流和动态功耗。核心电压可降至0.9V输入输出电压支持1.8V和2.5V两种版本，静态功耗较40纳米降低约30%，动态功耗降低50%。该工艺支持多种核心组件 ，适用于对能效要求极高的场景，如智能手机APP，实现高性能与低功耗的灵活平衡。

性能(Performance)

28纳米工艺的逻辑密度达到5-8 MTr/mm²，最高工作频率可超过2.5GHz，较40纳米性能提升50%以上。HKMG技术优化了载流子迁移率并降低了栅极电容，显著提升了开关速度和射频性能，支持5GHz及以上频段的通信应用。多核CPU和异构计算架构(如CPU+NPU)在此节点得以高效实现，广泛应用于5G基站和高端消费电子。

面积(Area)

28纳米工艺进一步缩小晶体管尺寸，相同功能芯片面积较40纳米减少约30%，逻辑密度提升1.8倍。12英寸晶圆可切割的芯片数量增加50%以上，大幅降低了单位面积成本。该工艺支持高密度集成和系统级封装(SiP)，适用于复杂SoC设计，如集成内存、接口的芯片。

成本(Cost)

28纳米初期投入较高，研发成本约为40纳米的2-3倍。但在千万片级以上量产规模下，单颗成本显著降低，可低于40纳米工艺。长期来看，在高端市场如智能手机中，28纳米能够通过性能优势和规模效应实现40%以上的利润率。

应用场景

28纳米工艺主要面向高性能和高集成度应用领域：

· 智能手机应用处理器：如骁龙410等中高端移动芯片，兼顾性能与能效

· 5G通信芯片：基站收发芯片、射频前端模块，支持高频信号处理

· 边缘计算：加速器、神经网络处理器，实现终端侧推理

· 高端消费电子：平板电脑主控、智能电视芯片

· 自动驾驶视觉处理：车载图像处理、传感器融合芯片

功率(Power)

40纳米工艺作为低功耗设计的关键过渡节点，核心电压降至1.1V，漏电流较65纳米降低51%，支持多阈值电压(Multi-Vt)技术。虽未采用HKMG，但通过优化器件结构和工艺条件，实现了较低的动态和静态功耗，尤其适用于物联网传感器、智能手表等对功耗敏感的中低端消费电子。

性能(Performance)

40纳米工艺的逻辑密度较55纳米提升2.35倍，最高工作频率可达1.6GHz，门延迟减少30%。该工艺平衡了性能与功耗，适用于中高端应用如平板电脑显示驱动IC和车规级MCU。

面积(Area)

40纳米凭借其更小得晶体管尺寸和布线间距，能够实现比55nm工艺高得多的晶体管密度，从而显著缩小芯片面积。40纳米工艺较55纳米面积缩小约30%，逻辑密度显著提升，降低了单位功能成本。

成本(Cost)

40纳米晶圆适合百万级订单规模。单颗成本低于55纳米，在中等批量应用中(如物联网模组、智能电表)具有较高的性价比。但随着28纳米代工价格下降，40纳米的市场竞争力面临挑战。

应用场景

40纳米工艺适用于中等性能和功耗要求的应用领域：

· 物联网设备：无线传感器节点、家居控制器

· 可穿戴设备：智能手环、手表主控芯片

· 显示驱动芯片：LCD/OLED显示驱动器、触控控制器

· 汽车电子：车身控制模块、车载信息娱乐系统

· 工业控制：PLC控制器、电机驱动芯片

功率（Power）

55nm工艺采用了先进的低功耗器件技术，核心电压为1.2V, 支持多阈值电压设计, 能够有效的控制静态漏电流和动态功耗, 适用于工业控制和汽车电子等场景，并通过BCD工艺优化实现高可靠性设计。

性能（Performance）

55nm工艺能够支持从几百MHz 到超过1GHz的主频运行，适用于从低功耗物联网设备到高性能工业控制在内的绝大多数应用场景，搭配平台完整的IP库，保证了芯片设计的快速实现和整体性能优化。

面积（Area）

55nm 在芯片面积上比更早期的节点实现了显著的缩小，允许在单个芯片集成更多的晶体管和功能模块;对于大多数微控制器、模拟混合信号芯片和射频芯片而言，55nm可为这些应用提供面积与性能的最佳平衡点。

成本（Cost）

55nm工艺成熟，生产稳定，良率水平高，单颗芯片的制造成本低。对成本敏感、需求量大的产品(如物联网设备、消费电子、微控制器等)提供最佳的性价比。

应用场景

55纳米工艺主要面向传统和可靠性要求高的领域：

· 汽车电子：发动机控制单元(ECU)、刹车控制系统

· 工业自动化：PLC控制器、工业传感器

· 家用电器：空调控制器、洗衣机主控芯片

· 电源管理：功率器件、电压调节器

· 传统消费电子：遥控器、简单嵌入式系统