关于芯联
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重庆芯联微电子有限公司于2023年10月27日注册成立。公司紧密围绕半导体产业立足特色工艺和成熟制程的稳定性，结合“特色工艺+汽车电子”双轮驱动，通过成渝经济圈的区域协同、政策聚焦和生态闭环，针对汽车电子、5G通信等新兴产业应用需求激增，深耕特色工艺领域。
公司聚焦55-28nm技术节点，以打造车规级等特色工艺平台为目标，主要产品包括车用MCU芯片、高端电源管理芯片、射频芯片等。
28nm工艺
28纳米工艺通过全面引入High-k金属栅极(HKMG)技术以及嵌入式锗硅应力技术，显著降低了漏电流和动态功耗。核心电压可降至0.9V输入输出电压支持1.8V和2.5V两种版本，静态功耗较40纳米降低约30%，动态功耗降低50%。该工艺支持多种核心组件 ，适用于对能效要求极高的场景，如智能手机APP，实现高性能与低功耗的灵活平衡。
40nm工艺
40纳米工艺作为低功耗设计的关键过渡节点，核心电压降至1.1V，漏电流较65纳米降低51%，支持多阈值电压(Multi-Vt)技术。虽未采用HKMG，但通过优化器件结构和工艺条件，实现了较低的动态和静态功耗，尤其适用于物联网传感器、智能手表等对功耗敏感的中低端消费电子。
55nm工艺
55nm工艺采用了先进的低功耗器件技术，核心电压为1.2V, 支持多阈值电压设计, 能够有效的控制静态漏电流和动态功耗, 适用于工业控制和汽车电子等场景，并通过BCD工艺优化实现高可靠性设计。
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我们是一个优秀的团队，热爱半导体产业，并在这条路上专注耕耘每一天。过往我们同舟共济，未来风雨兼程，我们期待和你一起共同创造。
